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STD1HN60K3

fabbricante Modello di prodotti	STD1HN60K3
fabbricante	STMicroelectronics
Parte della descrizione	MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti
Specifiche	STD1HN60K3, STU1HN60K3
Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta	in stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

Azione:in stock
Ordine minimo:1
Multiplo di:1

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Specifiche

Recensioni

Specifiche

Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DPAK
Serie	SuperMESH3™	Rds On (max) a Id, Vgs	8 Ohm @ 600mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	27W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	497-13748-2
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 1.2A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount DPAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.2A (Tc)